IPN50R3K0CEATMA1 Spécifications techniques

IPN50R3K0CEATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case SOT-223-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ω @ 400mA, 13V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 84pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 13V
Continuous Drain Current (ID) 2.6A
Drain-source On Resistance-Max 3Ohm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ CE
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 5W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 30μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 3V
DS Breakdown Voltage-Min 500V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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