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IPN50R3K0CEATMA1
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IPN50R3K0CEATMA1 Spécifications techniques
IPN50R3K0CEATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | SOT-223-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ω @ 400mA, 13V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 13V |
Continuous Drain Current (ID) | 2.6A |
Drain-source On Resistance-Max | 3Ohm |
REACH SVHC | No SVHC |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ CE |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 5W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Vgs (Max) | ±20V |
Threshold Voltage | 3V |
DS Breakdown Voltage-Min | 500V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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