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IPN70R1K2P7SATMA1 Spécifications techniques

COOLMOS P7 700V SOT-223

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-261-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ P7
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 6.3W Tc
Power Dissipation 6.3W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ω @ 900mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 174pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
Drain to Source Breakdown Voltage 700V
Height 1.8mm
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