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IPP023NE7N3GXKSA1
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IPP023NE7N3GXKSA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Power Dissipation | 300W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3m Ω @ 100A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Rise Time | 26ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 70 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 75V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 37.5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 22 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 120A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 480A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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