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IPP029N06NAKSA1
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IPP029N06NAKSA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin TO-220 Tube
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3W Ta 136W Tc |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0029Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A Ta 100A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 24A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 110 mJ |
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