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IPP029N06NAKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin TO-220 Tube

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3W Ta 136W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0029Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 75μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Ta 100A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 24A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Avalanche Energy Rating (Eas) 110 mJ
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