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IPP076N12N3GXKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 24 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 130μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6640pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 101nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0076Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 188W Tc
Power Dissipation 188W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 50ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 39 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 120V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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