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IPP100N04S4H2AKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Voltage 40V
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 70μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0027Ohm
Height 15.65mm
Width 4.4mm
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 115W Tc
Current 75A
Turn On Delay Time 18 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 19 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 280 mJ
Length 10mm
RoHS Status RoHS Compliant
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