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IPP100N08S207AKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 300W Tc
Power Dissipation 300W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 26 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1m Ω @ 80A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 51ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 61 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 75V
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
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