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IPP50R250CPXKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 40 Weeks
Package / Case TO-220
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 114W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Power Dissipation 114W
Turn On Delay Time 35 ns
Halogen Free Halogen Free
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 13A
Max Dual Supply Voltage 500V
Input Capacitance 1.42nF
Drain to Source Resistance 250mOhm
Height 15.95mm
Width 4.57mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Number of Pins 3
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Rise Time 14ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On Max 250 mΩ
Length 10.36mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
IPP50CN10N G INFINEO Circuits intégrés spécialisés 395
IPP50CN10NG INFINEON Circuits intégrés spécialisés 582
IPP50CN10NGXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2517
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