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IPP65R095C7XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 590μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2140pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 24A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.095Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 118 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™ C7
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 128W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95m Ω @ 11.8A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Tc
Rise Time 12ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 60 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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