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IPP65R125C7XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 18A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Turn On Delay Time 14 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 8.9A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Tc
Rise Time 15ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 18A
Max Dual Supply Voltage 650V
Drain to Source Resistance 110mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package PG-TO220-3
Packaging Tube
Series CoolMOS™ C7
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Power Dissipation-Max 101W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 440μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 71 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 1.67nF
Rds On Max 125 mΩ
Lead Free Lead Free
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