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IPP65R190E6XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 151W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190m Ω @ 7.3A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 112 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 66A
Height 15.95mm
Width 4.57mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 730μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1620pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 20.2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.19Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 485 mJ
Length 10.36mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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