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IPP65R600E6XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 63W Tc
Power Dissipation 63W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600m Ω @ 2.1A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A Tc
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 64 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 650V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.6Ohm
Lead Free Lead Free
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