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IPP80N04S403AKSA1
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IPP80N04S403AKSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7m Ω @ 80A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 12ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0037Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 200 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 94W Tc |
Power Dissipation | 94W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 53μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5260pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 16 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 320A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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