IPP80P03P4L04AKSA1 Spécifications techniques

IPP80P03P4L04AKSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 253μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) +5V, -16V
Turn-Off Delay Time 140 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage -30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 410 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 137W Tc
Turn On Delay Time 17 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4m Ω @ 80A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Gate to Source Voltage (Vgs) 5V
Drain-source On Resistance-Max 0.007Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
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