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IPS031N03LGAKMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-Ch 30V 90A IPAK-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TO-251-3
Published 2008
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 175°C
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Max Power Dissipation 94W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Power Dissipation 94W
Transistor Application SWITCHING
Rise Time 6ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Avalanche Energy Rating (Eas) 60 mJ
Drain to Source Resistance 3.1mOhm
Height 6.22mm
Width 2.39mm
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Number of Pins 3
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.29.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
Halogen Free Halogen Free
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 90A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Input Capacitance 4nF
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On Max 3.1 mΩ
Length 6.73mm
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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