IPS075N03LGAKMA1 Spécifications techniques

INFINEON IPS075N03L G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 30 V, 6.3 mohm, 10 V, 1 V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 50A
Avalanche Energy Rating (Eas) 50 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 47W Tc
Power Dissipation 47W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
REACH SVHC No SVHC
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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