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IPU80R4K5P7AKMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 13W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 4.5Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 800V
FET Feature Super Junction
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 1.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 2.6A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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