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IPW50R250CPFKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 13A TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 52 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 520μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 13A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 31A
Avalanche Energy Rating (Eas) 345 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 114W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250m Ω @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-247AD
Drain-source On Resistance-Max 0.25Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 500V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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