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IPW60R045CPAFKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 30 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.045Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 230A
Height 25.4mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 431W Tc
Power Dissipation 431W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45m Ω @ 44A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 60A
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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