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IPW60R060P7XKSA1
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IPW60R060P7XKSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ P7 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 15.9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2895pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 48A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.06Ohm |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 164W Tc |
Power Dissipation | 164W |
Turn On Delay Time | 23 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 79 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Height | 25.4mm |
IPW60R060P7XKSA1 Documents
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Feuilles de données
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