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IPW60R099P6XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V TO247-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.21mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3330pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Max Dual Supply Voltage 600V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Series CoolMOS™ P6
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 278W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99m Ω @ 14.5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 37.9A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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