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IPW65R150CFDFKSA1
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IPW65R150CFDFKSA1 Spécifications techniques
MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 195.3W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150m Ω @ 9.3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 5.6 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 22.4A |
Max Dual Supply Voltage | 650V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 72A |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Power Dissipation-Max | 195.3W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 12.4 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A Tc |
Rise Time | 7.6ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 52.8 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 700V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPW65R150CFDFKSA1 Documents
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Feuilles de données
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