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IPW65R190CFDAFKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 700μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 53.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.19Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 484 mJ
Length 16.03mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 151W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190m Ω @ 7.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 17.5A
Max Dual Supply Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 57.2A
Height 21.1mm
Width 5.16mm
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