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IPW65R280E6FKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 700V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 104W Tc
Power Dissipation 104W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280m Ω @ 4.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 76 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.28Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 290 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 440μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A Tc
Rise Time 9ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 13.8A
Max Dual Supply Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 39A
RoHS Status RoHS Compliant
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