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IPW90R1K2C3FKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 70 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 310μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 400 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 68 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 83W Tc
Power Dissipation 83W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ω @ 2.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.1A
Max Dual Supply Voltage 900V
RoHS Status RoHS Compliant
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