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IPZ65R065C7XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V TO247-4

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Turn On Delay Time 16 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 17.1A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Tc
Rise Time 7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 3.02nF
Rds On Max 65 mΩ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-4
Supplier Device Package PG-TO247-4
Packaging Tube
Series CoolMOS™ C7
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Power Dissipation-Max 171W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 850μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 33A
Max Dual Supply Voltage 650V
Drain to Source Resistance 58mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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