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IPZA60R120P7XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET TO247-4

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-247-4
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T4
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 410μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 78A
Avalanche Energy Rating (Eas) 82 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series CoolMOS™ P7
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 95W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120m Ω @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1544pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.12Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPZA60R120P7XKSA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IPZA60R120P7XKSA1 prix de référence. IPZA60R120P7XKSA1 paramètres, IPZA60R120P7XKSA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IPZA60R120P7XKSA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IPZA60R120P7XKSA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IPZA60R120P7XKSA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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