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IRF1010EZLPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2002 |
Part Status | Obsolete |
Voltage - Rated DC | 60V |
Current Rating | 75A |
Power Dissipation | 140W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A Tc |
Rise Time | 90ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 38 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Height | 9.65mm |
Width | 4.826mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 140W Tc |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5m Ω @ 51A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2810pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 54 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 75A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
IRF1010EZLPBF Documents
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