IRF1104PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 40V
Current Rating 100A
Power Dissipation-Max 170W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 60A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Dual Supply Voltage 40V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 9mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 170W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 114ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 28 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Recovery Time 110 ns
Height 8.77mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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