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IRF1324S-7PPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A Tc
Rise Time 240ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 86 ns
Threshold Voltage 4V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 240A
Dual Supply Voltage 24V
Recovery Time 107 ns
Height 4.5466mm
Width 8.15mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 24V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 429A
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1m Ω @ 160A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7700pF @ 19V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 252nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 93 ns
Continuous Drain Current (ID) 429A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 24V
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
Nominal Vgs 4 V
Length 10.795mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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