IRF1324STRL-7PP Spécifications techniques

MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1m Ω @ 160A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7700pF @ 19V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 252nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 93 ns
Continuous Drain Current (ID) 240A
Drain to Source Breakdown Voltage 24V
Nominal Vgs 4 V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 300W Tc
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A Tc
Rise Time 240ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 86 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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