IRF1404ZPBF Spécifications techniques

IRF1404ZPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 220W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A Tc
Rise Time 110ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 36 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 750A
Avalanche Energy Rating (Eas) 480 mJ
Nominal Vgs 4 V
Length 10.54mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 3.7Ohm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 40V
Current Rating 75A
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 58 ns
Continuous Drain Current (ID) 190A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Dual Supply Voltage 40V
Recovery Time 42 ns
Height 8.77mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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