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IRF1405LPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 131A TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Supplier Device Package TO-262
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation 200W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 131A Tc
Rise Time 190ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 110 ns
Continuous Drain Current (ID) 131A
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Drain to Source Resistance 5.3mOhm
Height 9.65mm
Width 4.826mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 175°C
Voltage - Rated DC 55V
Current Rating 131A
Power Dissipation-Max 200W Tc
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 101A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 5.48nF
Rds On Max 5.3 mΩ
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
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