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IRF2807PBF Spécifications techniques
IRF2807PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount, Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | 75V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 250 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 230W |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A Tc |
Rise Time | 64ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 49 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Dual Supply Voltage | 75V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.54mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 13mOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 82A |
Lead Pitch | 2.54mm |
Power Dissipation-Max | 230W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13m Ω @ 43A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3820pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 48 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 82A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 75A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 280A |
Recovery Time | 150 ns |
Height | 8.77mm |
Width | 4.69mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRF2807PBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRF2804 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5305 |
IRF2804L | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2243 |
IRF2804L MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 5447 |
IRF2804LK | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2319 |
IRF2804LPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2716 |
IRF2804LPBF | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2751 |
IRF2804LPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRF2804PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5354 |
IRF2804PBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRF2804S | IR | Circuits intégrés spécialisés | 10312 |
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