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IRF3315SPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 150V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 21A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 94W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 38 ns
Continuous Drain Current (ID) 21A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Dual Supply Voltage 150V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 84W
Turn On Delay Time 9.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A Tc
Rise Time 32ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 49 ns
Threshold Voltage 4V
Drain-source On Resistance-Max 0.082Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 84A
Nominal Vgs 4 V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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