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IRF3415PBF Spécifications techniques
IRF3415PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 42MOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | 150V |
Current Rating | 43A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 200W Tc |
Current | 43A |
Power Dissipation | 200W |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A Tc |
Rise Time | 55ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 71 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 150V |
Recovery Time | 390 ns |
Height | 15.24mm |
Width | 4.69mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Lead Pitch | 2.54mm |
Voltage | 150V |
Element Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42m Ω @ 22A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 69 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 43A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 590 mJ |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.5156mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF3415PBF Documents
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Feuilles de données
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IRF3415PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2274 |
IRF3415S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 36785 |
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