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IRF3610STRLPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 333W
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6m Ω @ 62A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5380pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 103A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 410A
Avalanche Energy Rating (Eas) 460 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Published 2013
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 175°C
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 103A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drain-source On Resistance-Max 0.0116Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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IRF3610S IR Circuits intégrés spécialisés 23095
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IRF36ER100K Dale / Vishay Inducteurs Fixes 0
IRF36ER101K Dale / Vishay Inducteurs Fixes 2640
IRF36ER102K Dale / Vishay Inducteurs Fixes 2520
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