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IRF3707ZSTRLPBF
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IRF3707ZSTRLPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 59A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 15 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 9.5mOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5m Ω @ 21A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1210pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 59A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 230A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 40 mJ |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 57W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 25μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 42A |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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