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IRF3808SPBF Spécifications techniques

IRF3808SPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 106A Tc
Rise Time 140ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 68 ns
Continuous Drain Current (ID) 106A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Dual Supply Voltage 75V
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 7MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 75V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 106A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7m Ω @ 82A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5310pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 120 ns
Reverse Recovery Time 93 ns
Threshold Voltage 4V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 75A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 550A
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF3808SPBF fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRF3808SPBF prix de référence. IRF3808SPBF paramètres, IRF3808SPBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRF3808SPBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRF3808SPBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRF3808SPBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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