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IRF3808STRRPBF
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IRF3808STRRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 200W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7m Ω @ 82A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5310pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 120 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 106A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 75A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Height | 4.826mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 200W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 106A Tc |
Rise Time | 140ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 68 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.007Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 550A |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
IRF3808STRRPBF Documents
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Feuilles de données
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