IRF4104PBF Spécifications techniques

IRF4104PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 5.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 140W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 130ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 470A
Recovery Time 35 ns
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 40V
Current Rating 75A
Power Dissipation-Max 140W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 77 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 220 mJ
Height 9.017mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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