IRF4905LPBF Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -74A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 99ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 51 ns
Threshold Voltage 4V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 42A
Drain to Source Breakdown Voltage -55V
Dual Supply Voltage 55V
Height 9.652mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC -55V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 170W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20m Ω @ 42A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 64 ns
Continuous Drain Current (ID) -74A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.02Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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