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IRF4905LPBF Spécifications techniques
IRF4905LPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1997 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -74A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 200W |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A Tc |
Rise Time | 99ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 51 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 42A |
Drain to Source Breakdown Voltage | -55V |
Dual Supply Voltage | 55V |
Height | 9.652mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | -55V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Power Dissipation-Max | 170W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 42A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 64 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -74A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.02Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 280A |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF4905LPBF Documents
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Feuilles de données
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IRF4905PBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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