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IRF5210STRLPBF Spécifications techniques

IRF5210STRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -40A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.8W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A Tc
Rise Time 63ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 72 ns
Threshold Voltage -4V
Drain to Source Breakdown Voltage -100V
Recovery Time 260 ns
Nominal Vgs -4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 60mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.1W Ta 170W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 55 ns
Continuous Drain Current (ID) -40A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 100V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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IRF520 STMicroelectronics Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2400
IRF520-PBF IR Circuits intégrés spécialisés 5308
IRF520A SEC Circuits intégrés spécialisés 1447
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IRF520NL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 10447
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IRF5210STRLPBF fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRF5210STRLPBF prix de référence. IRF5210STRLPBF paramètres, IRF5210STRLPBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRF5210STRLPBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRF5210STRLPBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRF5210STRLPBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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