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IRF5305SPBF Spécifications techniques
IRF5305SPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 16A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-252 |
Drain-source On Resistance-Max | 0.06Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 55V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 110W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 31A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 110A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 280 mJ |
IRF5305SPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRF530 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 90290 |
IRF530 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2347 |
IRF530 | STMicroelectronics | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 90384 |
IRF530 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
IRF5305 | IR | Circuits intégrés spécialisés | 10354 |
IRF5305L | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6330 |
IRF5305LPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3316 |
IRF5305LPBF. | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2716 |
IRF5305P | IRF | Circuits intégrés spécialisés | 31 |
IRF5305PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 471 |
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