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IRF530NSTRLPBF
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IRF530NSTRLPBF Spécifications techniques
IRF530NSTRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 70W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90m Ω @ 9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 17A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 60A |
Recovery Time | 140 ns |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 90MOhm |
Voltage - Rated DC | 100V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 17A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.8W |
Turn On Delay Time | 9.2 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A Tc |
Rise Time | 22ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 35 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Dual Supply Voltage | 100V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 5.084mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRF530NSTRLPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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IRF530 | STMicroelectronics | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 90384 |
IRF530 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
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