IRF540ZLPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 36A TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 36A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 92W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A Tc
Rise Time 51ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 26.5MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 100V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 92W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5m Ω @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 39 ns
Continuous Drain Current (ID) 36A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 9.65mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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