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IRF5806TRPBF Spécifications techniques

IRF5806TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Resistance 86MOhm
Subcategory Other Transistors
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Ta
Rise Time 27ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 94 ns
Threshold Voltage -1.2V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
Dual Supply Voltage -20V
Height 1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 2W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6.2 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86m Ω @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 594pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 126 ns
Continuous Drain Current (ID) -4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Nominal Vgs -1.2 V
Length 3.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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