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IRF5850TR Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package 6-TSOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 960mW
Power - Max 960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -20V
Current Rating -2.2A
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A
Rise Time 14ns
Continuous Drain Current (ID) 2.2A
Input Capacitance 320pF
Rds On Max 135 mΩ
Lead Free Contains Lead
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