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IRF5850TRPBF Spécifications techniques

IRF5850TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package 6-TSOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRF5850PBF
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 8.3 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A
Rise Time 14ns
Fall Time (Typ) 28 ns
Continuous Drain Current (ID) -2.2A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 135 mΩ
Length 2.9972mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 960mW
Number of Elements 2
Power Dissipation 960mW
Power - Max 960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 320pF
Drain to Source Resistance 220mOhm
Height 1.143mm
Width 1.75mm
RoHS Status RoHS Compliant
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