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IRF6150 Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number IRF6150
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.2A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 8.8A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 16-WFBGA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Form THROUGH-HOLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36m Ω @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.9A
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 3Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 250V
FET Feature Standard
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